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pvd電弧深黑技術

電弧法一般無法實現深黑色的鍍層,只能鍍到深灰。采用電弧深黑技術可以實現深黑電弧鍍層。

  • 適于低成本鍍制深黑色膜層
  • 在五金衛浴門鎖領域有著廣闊的應用前景

pvd離子過濾

電弧法的離子顆粒較大,采用離子過濾技術可以大幅改善膜層質量。

  • 濾除大顆粒和原子團
  • 實現鏡面膜

pvd比例給氣自動流量控制器

比例給氣自動流量控制器的PVD設備會讓生產更加得心應手。

  • 預定加減氣體函數。
  • 實現漸進給氣

pvd數控節流閥

節流閥采用微電腦控制的步進電機,主要有如下優點:

  • 節流閥在0~90度任意可調
  • 控制角度精確,工藝穩定
  • 數據設置操作簡單

 

磁控濺射鍍膜機

中頻磁控濺射鍍膜技術是鍍制化合物及氧化物膜的理想設備,徹底克服了打弧的現象,并且濺射速度快,適合鍍制銦錫合金(ITO),氧化鋁(AL2O3),二氧化硅(SIO2),氧化鈦(TiO2),氮化硅(Si3N4)等,配置多個靶及膜厚儀可鍍制多種多層復合膜。

技術指標

1 鍍膜室尺寸:Φ1200 mm X 900 mm 、 Φ1200 mm X 1500 mm、Φ1500 mm X 1200 mm

2 極限真空度:優于<1.3×10-3 pa(冷態包括轉架)

3 排空時間:( 冷態,包括工件架 )在擴散泵已正常工作情況下,從大氣抽至6.6 x 10-3 Pa時間〈 20min

4 等離子體加速器電弧靶6只+中頻平面靶4只+離子源1只

采用最新開發的距形平面濺射靶:確保顆粒細膩;幅射均勻;高真空弧光平穩.

技術特征 :

  • 內置加速電場

  • 恒定高斯的水平磁場

  • 直接水冷

  • 采用濺射靶專用電源

5 濺射電源采用我公司獨有的脈沖濺射專用電源,具有特殊保護電路裝置.技術特征:

  • 中頻孿生靶磁控濺射電源:最有效地杜絕了磁控濺射“靶中毒”的現象,可以在采用純金屬靶材的前提下,制備包括氧化物在內的各種化合物薄膜,是取代射頻磁控的先進鍍膜方法。同時可以有效地提高磁控濺射制備的純金屬薄膜的沉積速率,在批量化生產中,提高生產效率

  • 該電源采用了先進的高頻開關技術,使用最新IGBT器件,具有優異的輸出特性和良好的適應性。參數調節范圍寬且穩定,保護措施完善合理,具備體積小,重量輕,效率高的優點。是雙極孿生對靶磁控濺射技術的關鍵設備,是鍍ITO膜,介質膜,絕緣保護膜等產品必備的專用電源。

6 工件架轉速(內6軸外8軸)額定值:公轉轉速4r/mim,自轉轉速15r/min。

  • 變頻調速,無級漸變,緩起緩停,可換向

  • 負重250KG

7 供氣系統:兩路(可選配三路或四路)比例給氣自動質量流量控制.流量500—1000SCCM每路

  • 自動跟隨真空室壓強,自動調節進氣量

  • 每路氣均有質量流量顯示

  • 無需混氣罐,調節無滯后

  • 預設比例,總量自動或手動均可

  • 預設強置換功能,生成起步氣沖

8 加熱器輸出功率0-21KW

9 壓強控制:節流閥;自動壓強調節

10 設備總功率:140KVA ,380V,三相四線制

11 溫度測量方式:熱電偶

表面測溫方式:紅外測溫儀(選購件)

12 設備總功率:110KVA max,380伏、三相四線制;

13 溫度測量方式:熱電偶,可選配紅外測溫儀

14 設備總重:4.5t

15 設備占地面積:6m X 8m

16 冷卻水流量: 2t/hr (進水溫度25攝氏度以下,壓力2KG/CM 2)

 

 

pvdπ形轉靶

 

  • 節省鍍膜時間
  • 實現定向鍍膜

pvd石墨弧靶

 

  • 解決石墨靶鉆弧滅弧問題
  • 可以鍍制電弧法DLC

pvd線形離子源

 

  • 氣體離化
  • 工件刻蝕輔助清洗

pvd離子滲透

 

  • 聯合ARC沉積基礎
  • 模具性能壽命顯著倍增

pvd大功率偏壓電源

 

  • 自動生成閥值,無需經常調節
  • 函數波形輸出,起弧可能減至最小
  • 數字邏輯控制,準確無誤
  • 調制電壓的主弧轟擊,功力強勁

pvd引孤系統改造

 

  • 自動引弧
  • 快速續弧
  • 不粘弧
  • 相鄰弧源互相幫助